他表示，到 2026 年，全球 3 纳米工艺节点代工市场将达到 242 亿美元规模，较今年的 12 亿美元增长将超 20 倍。

目前，三星电子是唯一一家宣布成功量产 3 纳米芯片的公司，随着三星电子、台积电、英特尔等半导体大厂开始引进 EUV 设备，工艺技术不断发展，预计 3 纳米工艺将成为关键竞争节点。

根据 Gartner 数据，截至今年年底，在晶圆代工市场中占据最大份额的是 5 纳米和 7 纳米工艺，市场规模 369 亿美元，未来其份额将逐步由 3 纳米所取代。他表示，“随着 14 纳米 FinFET 工艺的推出，三星电子已经上升到代工市场的第二位。”

据称，3 纳米节点需要新的器件结构以提升性能，率先实现量产 3nm 工艺的三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的 MBCFET 技术，较 FinFET 性能功耗有明显改善。

“就 FinFET 而言，性能随着引脚数量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET 的效率要高得多，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。”

具体来说，在 FinFET 技术中性能提升 1.3 倍但功耗也会随着上涨2.2 倍，而在 MBCFET 中，性能提高 1.7 倍时，功耗只会增加 1.6 倍，相对来说效率更高。